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低维材料的合成和器件应用

时间:2020-07-23 来源: 作者: 摄影: 编辑: 上传:

主讲人:龚佑品

时 间:2020年07月24日(星期五)下午16:00

地 点:弘毅楼四楼中庭报告厅

主讲人介绍:龚佑品博士2010年6月获南京大学材料物理与化学专业博士学位。2010年7月起先后在中科院苏州纳米所、美国堪萨斯大学、苏州大学、南方科技大学从事科学研究,2020年7月起任职重庆大学物理学院研究员。主要研究领域为介电材料、二维层状材料的生长与光电子器件等交叉领域。主持和参与国自然重点、面上和青年基金、深圳市基础研究学科布局等项目, 先后获得苏州市自然科学优秀论文二等奖、深圳市海外高层次人才称号。迄今获得授权专利10项,包含1项美国专利,共发表学术论文40余篇,包括Adv. Mater., Adv. Funct. Mater., ACS Nano, Adv. Opt. Mater., Phys. Rev. B等期刊。

主要内容:低维材料及其异质结不仅在光学和电学领域包含丰富的内容,譬如材能带匹配,材料与光子的相互作用,层间激子的产生、复合、分离、输运机制等基础科学问题,并且在光电子器件的应用(发光、显示和探测)中显示出了极大的潜力。本报告介绍了该团队近期在低维材料制备和光电子器件特性的研究,特别是通过2D材料范德瓦尔异质结能带工程,构建多层2D材料垂直p-n结,从而使探测器的可探测光谱范围超过单一2D材料的截止波长,制备出超越材料自身带隙限制的红外光探测器。

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